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NXP Semiconductors
MMBZxVCL; MMBZxVDL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
Table 10. Characteristics …continued
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
S Z
temperature coef?cient I Z = 1 mA
MMBZ12VDL
-
8.1
-
mV/K
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL
-
11
-
mV/K
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL
-
14
-
mV/K
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL
-
15.8
-
mV/K
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL
-
23
-
mV/K
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL
-
29.4
-
mV/K
MMBZ33VCL/DG
[1]
[2]
In accordance with IEC 61643-321 (10/1000 μ s current waveform).
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
10 3
P PPM
(W)
10 2
10
006aab327
1.2
P PPM
P PPM(25 ° C)
0.8
0.4
006aab321
1
10 ? 2
10 ? 1
1
10
10 2
10 3
t p (ms)
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
MMBZ27VCL: unidirectional and bidirectional
T amb = 25 ° C
Fig 3.
Rated peak pulse power as a function of
Fig 4.
Relative variation of rated peak pulse power as
exponential pulse duration (rectangular
waveform); typical values
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
a function of junction temperature; typical
values
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 September 2008
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